化合物结晶过程分析：
结构分析用的晶体生长有许多专著。
结晶过程涉及气体、液体或溶液相中的离子、原子或分子有序的进入固态中有规则的位置。结晶过程的初始阶段是形成晶核，然后离子、原子或分子在晶核的晶面上逐渐沉积（可被考虑为流体与晶体间的动力学平衡）。当向前速度占支配地位时，晶体就生长。影响平衡的因素包括晶体表面的化学性质，被结晶物质的浓度，医|学教育网搜集整理晶体内和晶体周围介质的性质。晶体的形成是发生在出现临界大小的晶核以后，此时生成自由能由正值，零变为负值。成核速率随过饱和度显著增加，为了限制晶核数量，过饱和度应尽可能的低，过饱和应慢慢到达，一旦到达这种低程度的过饱和以后，就要小心控制，使少数几颗晶核在准平衡状态下，慢慢生长。在成核过程中，外部物体，诸如灰尘颗粒，往往使得在成核过程中热力学上发生变化，所以这些颗粒要通过离心分离或过滤的方法事先去除。加晶种方法也常是控制晶核数量一种方法。
低分子量的有机、无机化合物晶体生长的方法大概有以下几种：
1）单溶剂蒸发
2）两元溶剂混和物蒸发
