主要有兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位两类。
1.兴奋性突触后电位
突触后膜电位在递质作用下发生去极化，使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性升高，这种电位变化称为兴奋性突触后电位（EPSP）。其产生机制为：突触前膜兴奋并释放兴奋性递质→递质作用于突触后膜受体→突触后膜对Na+和K+的通透性升高→突触后膜发生去极化，即产生兴奋性突触后电位（为一种局部兴奋）。
2.抑制性突触后电位
突触后膜电位在递质作用下发生超极化，使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性降低，这种电位变化称为抑制性突触后电位（IPSP）。其产生机制为：抑制性中间神经元释放抑制性递质→递质作用于突触后膜受体→突触后膜对Cl-通透性升高→突触后膜发生超极化，即产生抑制性突触后电位。
